Հատիկավոր կողմնորոշված ​​էլեկտրական պողպատը սովորաբար ունի 3% սիլիցիումի մակարդակ (Si:11Fe): Այն մշակվում է այնպես, որ օպտիմալ հատկությունները զարգանում են գլորման ուղղությամբ՝ բյուրեղի կողմնորոշման թերթիկի նկատմամբ խիստ վերահսկողության շնորհիվ (առաջարկվել է Նորման Պ. Գոսի կողմից): Մագնիսական հոսքի խտությունը մեծանում է 30%-ով կծիկի գլորման ուղղությամբ, չնայած դրա մագնիսական հագեցվածությունը նվազում է 5%-ով: Այն օգտագործվում է հզորության և բաշխման տրանսֆորմատորների միջուկների համար, սառը գլորված հատիկավոր կողմնորոշված ​​պողպատը հաճախ կրճատվում է որպես CRGO:

Արտադրանքի ստանդարտ չափսերի միջակայք

Լայնության, հաստության և երկարության շեղում

Արտադրանքի տեխնիկական բնութագրերը, առաքման քաշը և գործադիր ստանդարտը